ویژگی های ظاهری
شکل |
مکعب مستطیل |
جنس بدنه |
سیلیکون |
ابعاد |
46×20.5×5.2 میلیمتر |
تعداد پایه |
3 عدد |
پکیج |
2-21F2C |
ویژگی های فنی
نوع |
IGBT |
شماره شناسه |
GT60N321 |
ولتاژ |
1000V |
جریان |
60A |
توان |
170W |
توان حرارتی |
55°C to +150°C– |
کاربرد
در مدارات و سیستم های الکترونیک و کنترل و الکترونیک صنعتی، اینورترها، UPS، کنترل کننده موتور DC و … |
معرفی محصول
ترانزیستور GT60N321 از سری ترانزیستور های IGBT می باشد که دارای ماکزیمم ولتاژ قابل تحمل 1000 ولت و ماکزیمم جریان 60 آمپر می باشد. از ترانزیستور GT60N321 در سیستم های قدرت مانند اینورتر ها و راه انداز های موتور DC با توان بالا و غیره استفاده می شود.
ترانریستور IGBT یا به اصطلاح Insulated-gate bipolar transistor از خانواده ترانزیستور های دو قطبی با درگاه عایق شده می باشد. IGBT یک نیمه هادی است که از ترکیب دو ترانزیستور BJT و MOSFET بدست می آید به صورتی که در ورودی یک MOSFET و در خروجی یک BJT می باشد. از نظر نام گذاری پایه ها به صورت گیت G و کلکتور C و امیتر E نام گذاری شده است. از ویژگی های این نوع ترانزیستور ها می توان به امپدانس ورودی کم، افت ولتاژ و تلفات کم و ولتاژ حالت وصل کم اشاره نمود.