ویژگی های ظاهری
|
شکل |
مکعب |
|
جنس بدنه |
سیلیکون |
|
ابعاد |
TO-3P |
|
قابلیت نصب روی برد |
دارد |
|
تعداد پایه |
3 پایه |
|
پکیج |
TO-3P |
ویژگی های فنی
|
نوع |
NPN Power transistor |
|
ولتاژVcᴇ |
125V |
|
جریانIc |
50A |
|
بازه حرارتی |
-65 تا +200 درجه سانتیگراد |
کاربرد
|
در مدارات و تجهیزات الکترونیکی |
معرفی محصول
ترانزیستور BUV20 از نوع BJT و از سری NPN می باشد. ولتاژ ناحیه کلکتور امیتر آن 125 ولت و جریان کلکتور آن برابر 50 آمپر می باشد. ترانزیستور BUV20 یکی از قطعات الکترونیکی است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌شود. یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نیمه هادی نوع N و نوع P است که از اتصال سه نیمه هادی فوق ترانزیستور ساخته می شود. در حالتی دیگر ترانزیستور از اتصال 2 عدد دیود به یکدیگر تشکیل می شود. انواع ترانزیستورها به صورت زیر می باشند:
ترانزیستور دو قطبی پیوندی (BJT)
ترانزیستور اثر میدانی (FET)
MOSFET
UJT
IGBT
دارلینگتون
RF
ماژول IGBT
ترانزیستورهای BJT یا اتصال دوقطبی از اتصال سه لایه نیمه هادی با یکدیگر تشکیل می‌شوند. در این اتصالات لایه وسط را بیس و دو لایه کنار را امیتر و کلکتور می نامند. نوع نیمه هادی به کار برده شده در لایه بیس با نوع نیمه هادی های به کار برده شده در لایه امیتر و لایه کلکتور متفاوت است. همچنین میزان ناخالصی موجود در لایه ی امیتر بیشتر از دو لایه دیگر می باشد و عرض لایه بیس کمتر از دو لایه امیتر و کلکتور و عرض لایه کلکتور بیشتر از سایر لایه‌ها می باشد.
در ترانزیستور دو قطبی، لایه امیتر بیشترین مقدار ناخالصی را دارد که الکترون‌ها از امیتر به‌سوی لایه کلکتور که ناخالصی کمتری دارد، حرکت داده می‌شوند.
ترانزیستور های BJT به دو دسته تقسیم می شوند:
NPN
PNP
