ترانزیستور BU508D

ویژگی های ظاهری 

ویژگی های فنی

کاربرد

معرفی محصول

ترانزیستور BU508D از نوع BJT و از سری  NPN می باشد. ولتاژ ناحیه کلکتور امیتر آن 700 ولت و جریان کلکتور آن برابر 5 آمپر می باشد. ترانزیستور BU508D یکی از قطعات الکترونیکی است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌شود. ترانزیستور BU508D  در ساختار خود دارای پیوندهای نیمه هادی نوع N و نوع P است که از اتصال سه نیمه هادی فوق ترانزیستور ساخته می شود. در حالتی دیگر ترانزیستور از اتصال 2 عدد دیود به یکدیگر تشکیل می شود. انواع ترانزیستورها به صورت زیر می باشند:

ترانزیستور دو قطبی پیوندی (BJT)

ترانزیستور اثر میدانی (FET)

MOSFET

UJT

IGBT

دارلینگتون

RF

ماژول  IGBT

ترانزیستورهای BJT یا اتصال دوقطبی از اتصال سه لایه نیمه هادی با یکدیگر تشکیل می‌شوند. در این اتصالات لایه وسط را بیس و دو لایه کنار را امیتر و کلکتور می نامند. نوع نیمه هادی به کار برده شده در لایه بیس با نوع نیمه هادی های به کار برده شده در لایه امیتر و لایه کلکتور متفاوت است. همچنین میزان ناخالصی موجود در لایه ی امیتر بیشتر از دو لایه دیگر می باشد و عرض لایه بیس کمتر از دو لایه امیتر و کلکتور و عرض لایه کلکتور بیشتر از سایر لایه‌ها می باشد.

در ترانزیستور دو قطبی، لایه امیتر بیشترین مقدار ناخالصی را دارد که الکترون‌ها از امیتر به‌سوی لایه کلکتور که ناخالصی کمتری دارد، حرکت داده می‌شوند.

ترانزیستور های BJT به دو دسته تقسیم می شوند:

NPN

PNP