ویژگی های ظاهری
شکل | قابلمه ای |
جنس بدنه | فلزی |
ابعاد | TO-3 |
قابلیت نصب روی برد | دارد |
تعداد پایه | 3 پایه |
پکیج | TO-3 |
ویژگی های فنی
نوع | PNP Power Darlington transistor |
ولتاژVcᴇ | 120V |
جریانIc | 50A |
بازه حرارتی | -65 تا +200 درجه سانتیگراد |
کاربرد
در مدارات و تجهیزات الکترونیکی |
معرفی محصول
ترانزیستور یکی از قطعات الکترونیکی است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌شود. یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نیمه هادی نوع N و نوع P است که از اتصال سه نیمه هادی فوق ترانزیستور ساخته می شود. در حالتی دیگر ترانزیستور از اتصال 2 عدد دیود به یکدیگر تشکیل می شود. انواع ترانزیستورها به صورت زیر می باشند:
ترانزیستور دو قطبی پیوندی (BJT)
ترانزیستور اثر میدانی (FET)
MOSFET
UJT
IGBT
دارلینگتون
RF
ماژول IGBT
ترانزیستورdarlington یا زوج دارلینگتون از اتصال 2 ترانزیستور دو قطبی تشکیل شده است. در واقع امیتر ترانزیستور اول به بیس ترانزیستور دوم متصل شده است. جریانی که در خروجی این ترانزیستور وجود دارد قوی تر از جریانی که توسط یک ترانزیستور تقویت می شود. به عبارتی جریانی که توسط ترانزیستور اول تقویت اول می شود در ترانزیستور دومی بیشتر تقویت خواهد شد.
و از معایب این نوع ترانزیستورها این است که در صورت وجود جریان نشتی در ترانزیستور اول، این جریان نشتی در ترانزیستور دوم تقویت خواهد شد.
ترانزیستور فوق از نوع Darlington و از سری PNP می باشد. ولتاژ ناحیه کلکتور امیتر آن 120 ولت و جریان کلکتور آن برابر 50 آمپر می باشد.
