ترانزیستور 20N120

ویژگی های ظاهری 

ویژگی های فنی

کاربرد

معرفی محصول

ترانزیستور 20N120 قدرت  از نوع IGBT می باشد که دارای ماکزیمم ولتاژ قابل تحمل کلکتور امیتر 1200 ولت و ماکزیمم جریان کلکتور 45 آمپر می باشد. از ترانزیستور 20N120 در سیستم های قدرت مانند اینورتر ها و راه انداز های موتور DC با توان بالا و غیره استفاده می شود.ترانزیستور 20N120 یکی از قطعات الکترونیکی است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌شود. یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نیمه هادی نوع N و نوع P است که از اتصال سه نیمه هادی فوق ترانزیستور ساخته می شود. در حالتی دیگر ترانزیستور از اتصال 2 عدد دیود به یکدیگر تشکیل می شود. انواع ترانزیستورها به صورت زیر می باشند:

ترانزیستور دو قطبی پیوندی (BJT)

ترانزیستور اثر میدانی (FET)

MOSFET

UJT

IGBT

دارلینگتون

RF

ماژول  IGBT

IGBT یا به اصطلاح Insulated-gate bipolar transistor از خانواده ترانزیستور های دو قطبی با درگاه عایق شده می باشد. IGBT یک نیمه هادی است که از ترکیب دو ترانزیستور BJT و MOSFET بدست می آید به صورتی که در ورودی یک MOSFET و در خروجی یک BJT می باشد. از نظر نام گذاری پایه ها به صورت گیت G و کلکتور C و امیتر E نام گذاری شده است. از ویژگی های این نوع ترانزیستور ها می توان به امپدانس ورودی کم، افت ولتاژ و تلفات کم و ولتاژ حالت وصل کم اشاره نمود.