ویژگی های ظاهری
شکل
|
مکعب
|
جنس بدنه
|
سیلیکون
|
ابعاد
|
TO-247 AD
|
قابلیت نصب روی برد
|
دارد
|
تعداد پایه
|
3 پایه
|
پکیج
|
TO-247 AD
|
ویژگی های فنی
نوع
|
High Voltage IGBT
|
ولتاژVcᴇs
|
1200V
|
جریانIc
|
(T=25°C) 50A
|
بازه حرارتی
|
-55 تا +150 درجه سانتیگراد
|
کاربرد
در مدارات و تجهیزات الکترونیکی
|
معرفی محصول
ترانزیستور 28N120 قدرت از نوع IGBT و از سری High Voltage می باشد که دارای ماکزیمم ولتاژ قابل تحمل کلکتور امیتر 1200 ولت و ماکزیمم جریان کلکتور 50 آمپر(T=25°C) می باشد. از ترانزیستور 28N120 در سیستم های قدرت مانند اینورتر ها و راه انداز های موتور DC با توان بالا و غیره استفاده می شود.ترانزیستور یکی از قطعات الکترونیکی است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته میشود. یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نیمه هادی نوع N و نوع P است که از اتصال سه نیمه هادی فوق ترانزیستور ساخته می شود. در حالتی دیگر ترانزیستور از اتصال 2 عدد دیود به یکدیگر تشکیل می شود. انواع ترانزیستورها به صورت زیر می باشند:
ترانزیستور دو قطبی پیوندی (BJT)
ترانزیستور اثر میدانی (FET)
MOSFET
UJT
IGBT
دارلینگتون
RF
ماژول IGBT
IGBT یا به اصطلاح Insulated-gate bipolar transistor از خانواده ترانزیستور های دو قطبی با درگاه عایق شده می باشد. IGBT یک نیمه هادی است که از ترکیب دو ترانزیستور BJT و MOSFET بدست می آید به صورتی که در ورودی یک MOSFET و در خروجی یک BJT می باشد. از نظر نام گذاری پایه ها به صورت گیت G و کلکتور C و امیتر E نام گذاری شده است. از ویژگی های این نوع ترانزیستور ها می توان به امپدانس ورودی کم، افت ولتاژ و تلفات کم و ولتاژ حالت وصل کم اشاره نمود.