ویژگی های ظاهری
|
شکل |
مکعب |
|
جنس بدنه |
سیلیکون |
|
ابعاد |
4.8×15×40 میلیمتر |
|
تعداد پایه |
3 عدد |
|
پکیج |
TO-3P |
ویژگی های فنی
|
نوع |
N-Channel MOSFET |
|
شماره شناسه |
2SK4108 |
|
ولتاژ |
500V |
|
جریان |
20A |
|
توان حرارتی |
55°C to +175°C– |
کاربرد
|
در مدارات و تجهیزات الکترونیکی |
معرفی محصول
ترانزیستور 2SK4108 اورجینال فوق از نوع N-Channel MOSFET با ولتاژ قابل تحمل 500 ولت و جریان 20 آمپر در دسترس می باشد.ترانزیستور 2SK4108 اورجینال یکی از قطعات الکترونیکی است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌شود. یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نیمه هادی نوع N و نوع P است که از اتصال سه نیمه هادی فوق ترانزیستور ساخته می شود. در حالتی دیگر ترانزیستور از اتصال 2 عدد دیود به یکدیگر تشکیل می شود. ترانزیستور ها به دو دسته تقسیم می شوند:
ترانزیستور دو قطبی پیوندی (BJT)
ترانزیستور اثر میدانی (FET)
ترانزیستورهای اتصال دوقطبی BJT از اتصال سه لایه نیمه هادی تشکیل می‌شوند. لایه وسطی بیس و دو لایه کنار امیتر و کلکتور نام دارد. نوع نیمه هادی بیس، با نوع نیمه هادی های امیتر و کلکتور متفاوت است. معمولاً میزان ناخالصی در امیتر بیشتر از دو لایه دیگر و همچنین عرض لایه بیس کمتر و عرض لایه کلکتور بیشتر از لایه‌های دیگر است.
در ترانزیستور دو قطبی، لایه امیتر بیشترین مقدار ناخالصی را دارد که الکترون‌ها از امیتر به‌سوی لایه کلکتور که ناخالصی کمتری دارد، حرکت داده می‌شوند.
ترانزیستور های BJT به دو دسته تقسیم می شوند:
NPN
PNP
ترانزیستور اثر میدانی FET از اتصال سه لایه نیمه هادی تشکیل می‌شوند با این تفاوت که لایه وسط که به عنوان گیت شناخته می شود از دو لایه دیگر جدا می باشد و از طریق میدان ارتباط برقرار می شود. این نوع طراحی باعث کاهش جریان گیت گردیده است.
ترانزیستور های FET به دو دسته تقسیم می شوند:
نوع n یا N-Type
نوع p یا P-Type
نوعی دیگر از تراتزیستور ها به نام MOSFET وجود دارد که از خانواده ترانزیستور های اثر میدانی می باشند با این تفاوت که گیت MOSFET توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده‌است. به این دلیل به آنها FET با گیت مجزا نیز گفته می شود. ترانزیستورهای MOSFETبسته به کانالی که در آنها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. از ویژگی این ترانزیستور ها می توان به نویز پذیری کم نسبت به FET اشاره نمود.
