ترانزیستور 55N60

ویژگی های ظاهری 

ویژگی های فنی

کاربرد

معرفی محصول

ترانزیستور 55N60 فوق از نوع MOSFET و از سری  N-Channel می باشد. ولتاژ ناحیه درین سورس آن 60 ولت و جریان کلکتور آن برابر 55 آمپر می باشد. ترانزیستور 55N60 یکی از قطعات الکترونیکی است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌شود. یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نیمه هادی نوع N و نوع P است که از اتصال سه نیمه هادی فوق ترانزیستور ساخته می شود. در حالتی دیگر ترانزیستور از اتصال 2 عدد دیود به یکدیگر تشکیل می شود. انواع ترانزیستورها به صورت زیر می باشند:

ترانزیستور دو قطبی پیوندی (BJT)

ترانزیستور اثر میدانی (FET)

MOSFET

UJT

IGBT

دارلینگتون

RF

ماژول  IGBT

نوعی دیگر از تراتزیستور ها به نام MOSFET وجود دارد که از خانواده ترانزیستور های اثر میدانی می باشند با این تفاوت که گیت MOSFET توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده‌است. به این دلیل به آنها FET با گیت مجزا نیز گفته می شود. ترانزیستورهای MOSFETبسته به کانالی که در آنها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. از ویژگی این ترانزیستور ها می توان به نویز پذیری کم نسبت به FET اشاره نمود.