ویژگی های ظاهری
شکل | مکعب |
جنس بدنه | سیلیکون |
ابعاد | TO-247 |
قابلیت نصب روی برد | دارد |
تعداد پایه | 3 پایه |
پکیج | TO-247 |
ویژگی های فنی
نوع | IGBT |
ولتاژVᴅs | 600V |
جریانIᴅ | (T=25°C) 75A |
بازه حرارتی | -55 تا +150 درجه سانتیگراد |
کاربرد
در مدارات و تجهیزات الکترونیکی |
معرفی محصول
ترانزیستور G60N60 از نوع IGBT می باشد که دارای ماکزیمم ولتاژ قابل تحمل کلکتور امیتر 600 ولت و ماکزیمم جریان کلکتور 75 آمپر می باشد. از ترانزیستور G60N60 در سیستم های قدرت مانند اینورتر ها و راه انداز های موتور DC با توان بالا و غیره استفاده می شود. ترانزیستور G60N60 یکی از قطعات الکترونیکی است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌شود. یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نیمه هادی نوع N و نوع P است که از اتصال سه نیمه هادی فوق ترانزیستور ساخته می شود. در حالتی دیگر ترانزیستور از اتصال 2 عدد دیود به یکدیگر تشکیل می شود. انواع ترانزیستورها به صورت زیر می باشند:
ترانزیستور دو قطبی پیوندی (BJT)
ترانزیستور اثر میدانی (FET)
MOSFET
UJT
IGBT
دارلینگتون
RF
ماژول IGBT
IGBT یا به اصطلاح Insulated-gate bipolar transistor از خانواده ترانزیستور های دو قطبی با درگاه عایق شده می باشد. IGBT یک نیمه هادی است که از ترکیب دو ترانزیستور BJT و MOSFET بدست می آید به صورتی که در ورودی یک MOSFET و در خروجی یک BJT می باشد. از نظر نام گذاری پایه ها به صورت گیت G و کلکتور C و امیتر E نام گذاری شده است. از ویژگی های این نوع ترانزیستور ها می توان به امپدانس ورودی کم، افت ولتاژ و تلفات کم و ولتاژ حالت وصل کم اشاره نمود.
