ویژگی های ظاهری
|
شکل |
مکعب |
|
جنس بدنه |
سیلیکون |
|
ابعاد |
TO-220 |
|
قابلیت نصب روی برد |
دارد |
|
تعداد پایه |
3 پایه |
|
پکیج |
TO-220 |
ویژگی های فنی
|
نوع |
N-channel |
|
ولتاژVᴅs |
600V |
|
جریانIᴅ |
(T=25°C) 3.6A |
|
بازه حرارتی |
-55 تا +150 درجه سانتیگراد |
کاربرد
|
در مدارات و تجهیزات الکترونیکی |
معرفی محصول
ترانزیستور IRFBC30 فوق از نوع MOSFET و از سری N-channel با ولتاژ درین سورس 600 ولت و جریان درین 3.6 آمپر (T=25°C) می باشد. ترانزیستور IRFBC30 یکی از قطعات الکترونیکی است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌شود. یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نیمه هادی نوع N و نوع P است که از اتصال سه نیمه هادی فوق ترانزیستور ساخته می شود. در حالتی دیگر ترانزیستور از اتصال 2 عدد دیود به یکدیگر تشکیل می شود. انواع ترانزیستورها به صورت زیر می باشند:
ترانزیستور دو قطبی پیوندی (BJT)
ترانزیستور اثر میدانی (FET)
MOSFET
UJT
IGBT
دارلینگتون
RF
ماژول IGBT
نوعی دیگر از تراتزیستور ها به نام MOSFET وجود دارد که از خانواده ترانزیستور های اثر میدانی می باشند با این تفاوت که گیت MOSFET توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده‌است. به این دلیل به آنها FET با گیت مجزا نیز گفته می شود. ترانزیستورهای MOSFETبسته به کانالی که در آنها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. از ویژگی این ترانزیستور ها می توان به نویز پذیری کم نسبت به FET اشاره نمود.
