ترانزیستور 2SC1923

ویژگی های ظاهری 

ویژگی های فنی

کاربرد

معرفی محصول

ترانزیستور 2SC1923 از نوع BJT و از سری NPN می باشد. ولتاژ ناحیه کلکتور بیس آن 40 ولت و جریان کلکتور آن برابر 20 میلی آمپر می باشد.

ترانزیستور یکی از قطعات الکترونیکی است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌شود. یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نیمه هادی نوع N و نوع P است که از اتصال سه نیمه هادی فوق ترانزیستور ساخته می شود. در حالتی دیگر ترانزیستور از اتصال 2 عدد دیود به یکدیگر تشکیل می شود. ترانزیستور ها به دو دسته تقسیم می شوند:

• ترانزیستور دو قطبی پیوندی (BJT)
• ترانزیستور اثر میدانی (FET)

ترانزیستورهای BJT یا اتصال دوقطبی از اتصال سه لایه نیمه هادی با یکدیگر تشکیل می‌شوند. در این اتصالات لایه وسط را بیس و دو لایه کنار را امیتر و کلکتور می نامند. نوع نیمه هادی به کار برده شده در لایه بیس با نوع نیمه هادی های به کار برده شده در لایه امیتر و لایه کلکتور متفاوت است. همچنین میزان ناخالصی موجود در لایه ی امیتر بیشتر از دو لایه دیگر می باشد و عرض لایه بیس کمتر از دو لایه امیتر و کلکتور و عرض لایه کلکتور بیشتر از سایر لایه‌ها می باشد.

در ترانزیستور دو قطبی، لایه امیتر بیشترین مقدار ناخالصی را دارد  که الکترون‌ها از امیتر به‌سوی لایه کلکتور که ناخالصی کمتری دارد، حرکت  داده می‌شوند.

ترانزیستور های BJT به دو دسته تقسیم می شوند:

NPN

PNP

ترانزیستور اثر میدانی FET از اتصال سه لایه نیمه هادی تشکیل می‌شوند با این تفاوت که لایه وسط که به عنوان گیت شناخته می شود از دو لایه دیگر جدا می باشد و از طریق میدان ارتباط برقرار می شود. این نوع طراحی باعث کاهش جریان گیت گردیده است.

ترانزیستور های  FET به دو دسته تقسیم می شوند:

• نوع n یا N-Type
• نوع p یا P-Type