ویژگی های ظاهری
شکل |
مکعب |
جنس بدنه |
سیلیکون |
ابعاد |
2.4 ×4.3×17.2 میلیمتر |
تعداد پایه |
3 عدد |
پکیج |
TO-92M |
ویژگی های فنی
نوع |
NPN |
شماره شناسه |
2SC3199 |
ولتاژ |
50V |
جریان |
150mA |
توان حرارتی |
155+ تا 55- سانتی گراد |
کاربرد
در مدارات و تجهیزات الکترونیکی |
معرفی محصول
ترانزیستور 2SC3199 فوق از نوع BJT و از سری NPN می باشد. ولتاژ ناحیه کلکتور بیس آن 50 ولت و جریان کلکتور آن برابر 150 میلی آمپر می باشد. از ویژگی های ترانزیستور 2SC3199 جریان گین بالا و گین 70 تا 700 و نویز پاین آن می باشد.
ترانزیستور یکی از قطعات الکترونیکی است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته میشود. یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نیمه هادی نوع N و نوع P است که از اتصال سه نیمه هادی فوق ترانزیستور ساخته می شود. در حالتی دیگر ترانزیستور از اتصال 2 عدد دیود به یکدیگر تشکیل می شود. ترانزیستور ها به دو دسته تقسیم می شوند.
- ترانزیستور دو قطبی پیوندی (BJT)
- ترانزیستور اثر میدانی (FET)
ترانزیستورهای اتصال دوقطبی BJT از اتصال سه لایه نیمه هادی تشکیل میشوند. لایه ی وسطی بیس و دو لایه کنار امیتر و کلکتور نام دارد دارد. نوع نیمه هادی بیس، با نوع نیمه هادی های امیتر و کلکتور متفاوت است. معمولاً میزان ناخالصی در امیتر بیشتر از دو لایه ی دیگر و همچنین عرض لایه بیس کمتر و عرض لایه ی کلکتور بیشتر از لایههای دیگر است.
در ترانزیستور دو قطبی، لایه ی امیتر بیشترین مقدار ناخالصی را دارد که الکترونها از امیتر بهسوی لایه ی کلکتور که ناخالصی کمتری دارد، حرکت داده میشوند.
ترانزیستور های BJT به دو دسته تقسیم می شوند
NPN
PNP
ترانزیستور اثر میدانی FET از اتصال سه لایه نیمه هادی تشکیل میشوند با این تفاوت که لایه وسط که به عنوان گیت شناخته می شود از دو لایه دیگر جدا می باشد و از طریق میدان ارتباط برقرار می شود. این نوع طراحی باعث کاهش جریان گیت گردیده است.
ترانزیستور های FET به دو دسته تقسیم می شوند.
- نوع n یا N-Type
- نوع p یا P-Type