ترانزیستور 2SK2611

ویژگی های ظاهری 

ویژگی های فنی

کاربرد

معرفی محصول

ترانزیستور 2SK2611 فوق از نوع N-Channel MOS TYPE  با ولتاژ قابل تحمل 900 ولت و جریان 9 آمپر در دسترس می باشد.  ترانزیستور 2SK2611 یکی از قطعات الکترونیکی است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌شود. یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نیمه هادی نوع N و نوع P است که از اتصال سه نیمه هادی فوق ترانزیستور ساخته می شود. در حالتی دیگر ترانزیستور از اتصال 2 عدد دیود به یکدیگر تشکیل می شود. ترانزیستور ها به دو دسته تقسیم می شوند:

ترانزیستور دو قطبی پیوندی (BJT)

ترانزیستور اثر میدانی (FET)

ترانزیستورهای BJT یا اتصال دوقطبی از اتصال سه لایه نیمه هادی با یکدیگر تشکیل می‌شوند. در این اتصالات لایه وسط را بیس و دو لایه کنار را امیتر و کلکتور می نامند. نوع نیمه هادی به کار برده شده در لایه بیس با نوع نیمه هادی های به کار برده شده در لایه امیتر و لایه کلکتور متفاوت است. همچنین میزان ناخالصی موجود در لایه ی امیتر بیشتر از دو لایه دیگر می باشد و عرض لایه بیس کمتر از دو لایه امیتر و کلکتور و عرض لایه کلکتور بیشتر از سایر لایه‌ها می باشد.

در ترانزیستور دو قطبی لایه امیتر  از دولایه بیس و کلکتور ناخالصی بیشتری دارد که باعث می شود الکترون‌ها از امیتر به ‌سوی لایه کلکتور که ناخالصی کمتری نسبت به دو لایه دیگر دارد حرکت داده ‌شوند.

ترانزیستور های BJT به دو دسته تقسیم می شوند:

NPN

PNP

ترانزیستور اثر میدانی یا FET نیز از اتصال سه لایه نیمه هادی تشکیل می‌شوند با این تفاوت که لایه وسط که به عنوان گیت شناخته می شود از دو لایه دیگر مجزا می باشد بدین معنی که به صورت ایزوله ساخته شده است و از طریق ایجاد میدان با لایه های دیگر ارتباط برقرار می کند که این نوع طراحی باعث کاهش جریان گیت نیز گردیده است.

ترانزیستور های FET به دو دسته تقسیم می شوند:

نوع n یا N-Type

نوع p یا P-Type

نوعی دیگر از تراتزیستور ها به نام MOSFET وجود دارد که از خانواده ترانزیستور های اثر میدانی می باشند با این تفاوت که گیت MOSFET توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده‌است. به این دلیل به آنها FET با گیت مجزا نیز گفته می شود. ترانزیستورهای  MOSFETبسته به کانالی که در آنها شکل می‌گیرد، NMOS  یا PMOS نامیده می‌شوند. از ویژگی این ترانزیستور ها می توان به نویز پذیری کم نسبت به FET اشاره نمود.