ترانزیستور IKA10N60T

ویژگی های ظاهری 

ویژگی های فنی

کاربرد

معرفی محصول

ترانزیستور IKA10N60T از نوع N-Channel MOSFET با ولتاژ قابل تحمل 600 ولت و جریان 10 آمپر در دسترس می باشد. ترانزیستور IKA10N60T یکی از قطعات الکترونیکی است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌شود. ترانزیستور IKA10N60T در ساختار خود دارای پیوندهای نیمه هادی نوع N و نوع P است که از اتصال سه نیمه هادی فوق ترانزیستور ساخته می شود. در حالتی دیگر ترانزیستور از اتصال 2 عدد دیود به یکدیگر تشکیل می شود. ترانزیستور ها به دو دسته تقسیم می شوند:

ترانزیستور دو قطبی پیوندی (BJT)

ترانزیستور اثر میدانی (FET)

ترانزیستورهای اتصال دوقطبی BJT از اتصال سه لایه نیمه هادی تشکیل می‌شوند. لایه وسطی بیس و دو لایه کنار امیتر و کلکتور نام دارد. نوع نیمه هادی بیس، با نوع نیمه هادی های امیتر و کلکتر متفاوت است. معمولاً میزان ناخالصی در امیتر بیشتر از دو لایه دیگر و همچنین عرض لایه بیس کمتر و عرض لایه کلکتور بیشتر از لایه‌های دیگر است.

در ترانزیستور دو قطبی، لایه امیتر بیشترین مقدار ناخالصی را دارد که الکترون‌ها از امیتر به‌سوی لایه کلکتور که ناخالصی کمتری دارد، حرکت داده می‌شوند.

ترانزیستور های BJT به دو دسته تقسیم می شوند:

NPN

PNP

ترانزیستور اثر میدانی FET از اتصال سه لایه نیمه هادی تشکیل می‌شوند با این تفاوت که لایه وسط که به عنوان گیت شناخته می شود از دو لایه دیگر جدا می باشد و از طریق میدان ارتباط برقرار می شود. این نوع طراحی باعث کاهش جریان گیت گردیده است.

ترانزیستور های FET به دو دسته تقسیم می شوند:

نوع n یا N-Type

نوع p یا P-Type

نوعی دیگر از تراتزیستور ها به نام MOSFET وجود دارد که از خانواده ترانزیستور های اثر میدانی می باشند با این تفاوت که گیت MOSFET توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده‌است. به این دلیل به آنها FET با گیت مجزا نیز گفته می شود. ترانزیستورهای  MOSFETبسته به کانالی که در آنها شکل می‌گیرد، NMOS  یا PMOS نامیده می‌شوند. از ویژگی این ترانزیستور ها می توان به نویز پذیری کم نسبت به FET اشاره نمود.