ترانزیستور K75T60
2,350,000 ریال
IGBT یا به اصطلاح Insulated-gate bipolar transistor از خانواده ترانزیستور های دو قطبی با درگاه عایق شده می باشد. IGBT یک نیمه هادی است که از ترکیب دو ترانزیستور BJT و MOSFET بدست می آید . . .
ویژگی های ظاهری
|
شکل |
مکعب مستطیل |
|
جنس بدنه |
سیلیکون |
|
ابعاد |
40×15.5×5.2 میلیمتر |
|
تعداد پایه |
3 عدد |
|
پکیج |
PG-TO247-3 |
ویژگی های فنی
|
نوع |
IGBT |
|
شماره شناسه |
K75T60 |
|
ولتاژ |
600V |
|
جریان |
75A |
|
توان |
420W |
|
توان حرارتی |
55°C to +150°C– |
کاربرد
|
در مدارات و سیستم های الکترونیک و کنترل و الکترونیک صنعتی، اینورترها، UPS، کنترل کننده موتور DC و … |
معرفی محصول
IGBT یا به اصطلاح Insulated-gate bipolar transistor از خانواده ترانزیستور های دو قطبی با درگاه عایق شده می باشد. IGBT یک نیمه هادی است که از ترکیب دو ترانزیستور BJT و MOSFET بدست می آید به صورتی که در ورودی یک MOSFET و در خروجی یک BJT می باشد. از نظر نام گذاری پایه ها به صورت گیت G و کلکتور C و امیتر E نام گذاری شده است. از ویژگی های این نوع ترانزیستور ها می توان به امپدانس ورودی کم، افت ولتاژ و تلفات کم و ولتاژ حالت وصل کم اشاره نمود.
ترانزیستور قدرت فوق از سری IGBT می باشد که دارای ماکزیمم ولتاژ قابل تحمل 600 ولت و ماکزیمم جریان 75 آمپر می باشد. از این ترانزیستور در سیستم های قدرت مانند اینورتر ها و راه انداز های موتور DC با توان بالا و غیره استفاده می شود.
