6MBI25S-120
6MBI25S-120 جهت اطلاع از موجودی و قیمت تماس بگیرید
بازگشت به محصولات
7MBR15NE120 جهت اطلاع از موجودی و قیمت تماس بگیرید

7MBR75U4R120

جهت اطلاع از موجودی و قیمت تماس بگیرید

IGBT یا به اصطلاح Insulated-gate bipolar transistor از خانواده ترانزیستور های دو قطبی با درگاه عایق شده می باشد. IGBT یک نیمه هادی است که از ترکیب دو ترانزیستور BJT و MOSFET بدست . . .

شناسه محصول: H-GE-323 دسته: , ,
توضیحات

ویژگی های ظاهری 

 

شکل

مکعب مستطیل

جنس بدنه

پلاستیک فشرده

ابعاد

107×45×20 میلیمتر

رنگ

قهوه ای

تعداد پایه

32 عدد

قابلیت نصب روی برد

دارد

قابلیت نصب روی هیت سینگ

دارد

 

ویژگی های فنی

 

نوع

IGBT

شماره شناسه

7MBR75U4R120

ولتاژ

1200V

جریان

75A

توان

توان حرارتی

40°C to +125°C–

 

 

ویژگی های کلی

 

برند

FUJI

کشور سازنده

ژاپن

 

 

کاربرد

 

در مدارات و سیستم های الکترونیک و کنترل و الکترونیک صنعتی، اینورترها، UPS، کنترل کننده موتور DC و …

 

معرفی محصول

 IGBT یا به اصطلاح Insulated-gate bipolar transistor از خانواده ترانزیستور های دو قطبی با درگاه عایق شده می باشد. IGBT یک نیمه هادی است که از ترکیب دو ترانزیستور BJT و MOSFET بدست می آید به صورتی که در ورودی یک  MOSFET  و در خروجی یک BJT می باشد. از نظر نام گذاری پایه ها به صورت گیت G و کلکتور C و امیتر E نام گذاری شده است. از ویژگی های این نوع ترانزیستور ها می توان به امپدانس ورودی کم، افت ولتاژ و تلفات کم و ولتاژ حالت وصل کم اشاره نمود.

ماژول  7MBR75U4R120از سری ماژول های قدرت می باشد. مدار داخلی این ماژول از 7 عدد IGBT همراه با 6 عدد دیود به صورت پل دیودی سه فاز تشکیل شده است. ماکزیمم ولتاژ قابل تحمل 1200 ولت و ماکزیمم جریان 75 آمپر می باشد. از این ماژول در سیستم های قدرت مانند اینورتر ها و راه انداز های موتور DC با توان بالا و غیره استفاده می شود.