FF200R12KT3
جهت اطلاع از موجودی و قیمت تماس بگیرید
IGBT یا به اصطلاح Insulated-gate bipolar transistor از خانواده ترانزیستور های دو قطبی با درگاه عایق شده می باشد. IGBT یک نیمه هادی است که از ترکیب دو ترانزیستور BJT و MOSFET بدست . . .
ویژگی های ظاهری
|
شکل |
مکعب مستطیل |
|
جنس بدنه |
سرامیک |
|
ابعاد |
106.4×61.4×30 میلیمتر |
|
رنگ |
سفید |
|
تعداد پایه |
7 عدد |
|
قابلیت نصب روی برد |
دارد |
|
قابلیت نصب روی هیت سینگ |
دارد |
ویژگی های فنی
|
نوع |
IGBT |
|
شماره شناسه |
FF200R12KT3 |
|
ولتاژ |
1200V |
|
جریان |
200A |
|
توان |
1050W |
|
توان حرارتی |
40°C to +125°C– |
ویژگی های کلی
|
برند |
|
|
کشور سازنده |
آلمان |
کاربرد
|
در مدارات و سیستم های الکترونیک و کنترل و الکترونیک صنعتی، اینورترها، UPS، کنترل کننده موتور DC و … |
معرفی محصول
IGBT یا به اصطلاح Insulated-gate bipolar transistor از خانواده ترانزیستور های دو قطبی با درگاه عایق شده می باشد. IGBT یک نیمه هادی است که از ترکیب دو ترانزیستور BJT و MOSFET بدست می آید به صورتی که در ورودی یک MOSFET و در خروجی یک BJT می باشد. از نظر نام گذاری پایه ها به صورت گیت G و کلکتور C و امیتر E نام گذاری شده است. از ویژگی های این نوع ترانزیستور ها می توان به امپدانس ورودی کم، افت ولتاژ و تلفات کم و ولتاژ حالت وصل کم اشاره نمود.
ماژول FF200R12KT3از سری ماژول های قدرت می باشد. مدار داخل این ماژول از 2 عدد IGBT تشکیل شده است. ماکزیمم ولتاژ قابل تحمل 1200 ولت و ماکزیمم جریان 200 آمپر می باشد. از این ماژول در سیستم های قدرت مانند اینورتر ها و راه انداز های موتور DC با توان بالا و غیره استفاده می شود.
