BSM50GB100D
BSM50GB100D جهت اطلاع از موجودی و قیمت تماس بگیرید
بازگشت به محصولات
خرید الکتروهایپر مشهد SKIIP 32NAB126T1
SKIIP 32NAB126T1 جهت اطلاع از موجودی و قیمت تماس بگیرید

FP75R12KT3

جهت اطلاع از موجودی و قیمت تماس بگیرید

IGBT یا به اصطلاح Insulated-gate bipolar transistor از خانواده ترانزیستور های دو قطبی با درگاه عایق شده می باشد. IGBT یک نیمه هادی است که از ترکیب دو ترانزیستور BJT و MOSFET بدست می آید . . .

شناسه محصول: H-GE-335 دسته: , ,
توضیحات

ویژگی های ظاهری 

شکل

مکعب مستطیل

جنس بدنه

سرامیک

ابعاد

122×62×20.5 میلیمتر

رنگ

سفید

تعداد پایه

35 عدد

قابلیت نصب روی برد

دارد

قابلیت نصب روی هیت سینگ

دارد

ویژگی های فنی

نوع

IGBT

شماره شناسه

FP75R12KT3

ولتاژ

1200V

جریان

75A

توان

355W

توان حرارتی

40°C to +125°C–

 

ویژگی های کلی

برند

INFINEON

کشور سازنده

آلمان

 

کاربرد

در مدارات و سیستم های الکترونیک و کنترل و الکترونیک صنعتی، اینورترها، UPS، کنترل کننده موتور DC و …

معرفی محصول

 IGBT یا به اصطلاح Insulated-gate bipolar transistor از خانواده ترانزیستور های دو قطبی با درگاه عایق شده می باشد. IGBT یک نیمه هادی است که از ترکیب دو ترانزیستور BJT و MOSFET بدست می آید به صورتی که در ورودی یک  MOSFET  و در خروجی یک BJT می باشد. از نظر نام گذاری پایه ها به صورت گیت G و کلکتور C و امیتر E نام گذاری شده است. از ویژگی های این نوع ترانزیستور ها می توان به امپدانس ورودی کم، افت ولتاژ و تلفات کم و ولتاژ حالت وصل کم اشاره نمود.

ماژول  FP75R12KT3از سری ماژول های قدرت می باشد. مدار داخل این ماژول از 7 عدد IGBT و 6 عدد دیود  به صورت پل دیود سه فاز تشکیل شده است. ماکزیمم ولتاژ قابل تحمل 1200 ولت و ماکزیمم جریان 75 آمپر می باشد. از این ماژول در سیستم های قدرت مانند اینورتر ها و راه انداز های موتور DC با توان بالا و غیره استفاده می شود.