7MBR15NE120
جهت اطلاع از موجودی و قیمت تماس بگیرید
IGBT یا به اصطلاح Insulated-gate bipolar transistor از خانواده ترانزیستور های دو قطبی با درگاه عایق شده می باشد. IGBT یک نیمه هادی است که از ترکیب دو ترانزیستور BJT و MOSFET بدست. . .
ویژگی های ظاهری
|
شکل |
مکعب مستطیل |
|
جنس بدنه |
پلاستیک فشرده |
|
ابعاد |
116×60×20 میلیمتر |
|
رنگ |
مشکی |
|
تعداد پایه |
21 عدد |
|
قابلیت نصب روی برد |
دارد |
|
قابلیت نصب روی هیت سینگ |
دارد |
ویژگی های فنی
|
نوع |
IGBT |
|
شماره شناسه |
7MBR15NE120 |
|
ولتاژ |
1200V |
|
جریان |
15A |
|
توان |
120W |
|
توان حرارتی |
40°C to +125°C– |
ویژگی های کلی
|
برند |
FUJI |
|
کشور سازنده |
ژاپن |
کاربرد
|
در مدارات و سیستم های الکترونیک و کنترل و الکترونیک صنعتی، اینورترها، UPS، کنترل کننده موتور DC و … |
معرفی محصول
IGBT یا به اصطلاح Insulated-gate bipolar transistor از خانواده ترانزیستور های دو قطبی با درگاه عایق شده می باشد. IGBT یک نیمه هادی است که از ترکیب دو ترانزیستور BJT و MOSFET بدست می آید به صورتی که در ورودی یک MOSFET و در خروجی یک BJT می باشد. از نظر نام گذاری پایه ها به صورت گیت G و کلکتور C و امیتر E نام گذاری شده است. از ویژگی های این نوع ترانزیستور ها می توان به امپدانس ورودی کم، افت ولتاژ و تلفات کم و ولتاژ حالت وصل کم اشاره نمود.
ماژول 7MBR15NE120از سری ماژول های قدرت می باشد. مدار داخلی این ماژول از 7 عدد IGBT همراه با 6 عدد دیود به صورت پل دیودی سه فاز تشکیل شده است. ماکزیمم ولتاژ قابل تحمل 1200 ولت و ماکزیمم جریان 15 آمپر می باشد. از این ماژول در سیستم های قدرت مانند اینورتر ها و راه انداز های موتور DC با توان بالا و غیره استفاده می شود.
